Los dispositivos de doble canal N ofrecen voltajes de ruptura DS de 40 V y 60 V y clasificaciones de corriente de 25 A a 48 A.
Taiwan Semiconductor (TSMC) amplía su cartera de MOSFET de potencia de doble canal N con estos nuevos dispositivos. Son los primeros de la serie que se ofrecen en un paquete dual PDFN56.
Los nuevos MOSFET cuentan con voltajes de ruptura de 40 voltios o 60 voltios y clasificaciones de corriente que oscilan entre 25 amperios y 48 amperios. Las especificaciones críticas de RDS (ON) de los nuevos dispositivos varían de 11 mΩ a 30mΩ. La temperatura máxima de unión es de 150 ° C. Todos los dispositivos cuentan con una carga de puerta baja, lo que hace posible la conmutación rápida de frecuencias.
TSM110NB04DCR
TSM150NB04DCR
TSM250NB06DCR
TSM300NB06DCR
El MOSFET es el semiconductor más ampliamente construido del mundo, y el MOSFET de doble canal N es una configuración muy popular para este dispositivo ubicuo. Estos son solo algunos de los dispositivos que son competidores de Taiwan Semiconductor en este género.
En el NTMD4820N de Semiconductor hay un MOSFET de doble canal de potencia de 30 amperios y 8 amperios. El rDS (ENCENDIDO) la especificación varía de 15 mΩ a 27 mΩ, dependiendo de VGS y drenar la corriente. La unidad no contiene plomo ni haluro y está disponible en un paquete SOIC-8.
El CSD86311W1723 de Texas Instruments tiene una huella excepcionalmente pequeña de 1.7 mm por 2.3 mm. RDS (ENCENDIDO) oscila entre 29 mΩ y 37 mΩ. La unidad no contiene PB ni halógenos y cumple con RoHS. Las aplicaciones incluyen gestión y protección de la batería, así como convertidores DC-DC.
El STS5DNF60L de STMicroelectronics presenta VDS descomposición a 60 voltios y una corriente de drenaje continua máxima de 3 amperios a 100 ° C. R máximaDS (ENCENDIDO) es de 45 mΩ.
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