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Toshiba ofrece una alternativa a la memoria NOR con la nueva familia de dispositivos SLC NAND

La nueva familia de productos de memoria NAND SLC de Toshiba se enfoca en altas tasas de transferencia y proporciona una alternativa a la memoria NOR.

Toshiba ha anunciado ocho miembros de una nueva familia de productos de memoria flash SLC NAND. Los dispositivos cuentan con una velocidad mejorada de 133 MHZ, en comparación con los 104 MHz de la generación anterior. Significativamente, también hay un nuevo comando para cargar datos para la programación en modo de 4 bits (QSPI).

Imagen de la memoria Toshiba

¿Qué es SLC NAND Flash?

SLC significa "celda de un solo nivel", donde una "celda" es una unidad de almacenamiento de memoria para memoria flash. SLC NAND Flash puede almacenar un bit de memoria. Esto se contrasta con el flash NAND de celda multinivel (MLC) que puede almacenar múltiples bits.

Debido a esta mayor densidad de datos, el flash MLC tiene la ventaja de un menor costo por bits de almacenamiento. Basado solo en esta información, puede parecer contradictorio que Toshiba Memory busque SLC NAND en este momento. La clave radica, como siempre en la ingeniería, en el contexto.

SLC, en comparación con MLC, cuenta con una mayor tasa de transferencia de datos. También es notable que MLC es más propenso a errores (ya que SLC tiene una tasa de error de RBER o bit sin procesar más baja), por lo que se debe emplear la verificación de errores. Otro inconveniente de MLC es que requiere más potencia que SLC. Por lo tanto, SLC es atractivo para los diseñadores que trabajan con aplicaciones que requieren velocidades de transferencia de datos más rápidas.

Aplicaciones de velocidad de transferencia de alta velocidad

Toshiba afirma que la nueva familia de dispositivos será adecuada para una amplia gama de aplicaciones que requieren mayores tasas de transferencia de datos. Esperan que estas aplicaciones incluyan tanto productos de consumo (como impresoras, dispositivos portátiles y televisores de pantalla plana) como productos industriales (como robótica).

SLC NAND vs NOR Memory

La memoria flash NOR ha sido durante mucho tiempo un pilar en aplicaciones integradas para dispositivos industriales y de consumo. Sin embargo, en los dispositivos integrados de hoy, especialmente para IoT y aplicaciones de comunicaciones, se necesitan mayores densidades de memoria. Los niveles extremos de miniaturización requieren memoria flash rápida y de gran capacidad en paquetes que ocupan el menor espacio posible en la placa.

Además, la tendencia está lejos de la dirección paralela de conteo de pines alto y los buses de datos hacia interfaces seriales de conteo de pines más bajos. Esto hace que una alternativa a NOR sea aún más importante.

Según Brian Kumagai, Director de Desarrollo de Negocios de Toshiba Memory America, Inc., Toshiba tiene claro que "siguen comprometidos a apoyar SLC" incluso cuando MLC encuentra utilidad. Agregó que esta nueva familia de dispositivos proporciona "una excelente alternativa de flash NOR" y cita la mayor densidad y los menores costos de las soluciones NAND.

Miembros de la nueva familia de productos de memoria flash NAND de Toshiba

La nueva familia de interfaces seriales NAND de Toshiba consta de ocho productos con voltajes de suministro de energía de 2.70 a 3.60V y 1.70 a 1.95V. Se comunican a través del popular bus SPI (interfaz periférica en serie). Y, según Toshiba, la adición de un dispositivo de 8 Gb aporta una densidad NAND mejorada a lo que han denominado productos de "segunda generación".

Cada uno está disponible en una opción de 3.3V o una opción de 1.8V.

  • 1Gb → TC58CVG0S3HRAIJ
  • 2Gb → TC58CVG1S3HRAIJ
  • 4Gb → TC58CVG2S0HRAIJ
  • 8Gb → TH58CVG3S0HRAIJ

Características adicionales:

  • Frecuencia de funcionamiento 133MHz
  • Programa / Leer modo x4
  • Función de lectura secuencial de alta velocidad.
  • Función ECC (ON / OFF, informe de conteo de volteo de bits)
  • Función de protección de datos (capaz de proteger bloques específicos)
  • Función de página de parámetros (capaz de generar información detallada sobre el dispositivo)

Las unidades estarán disponibles en paquetes WSON de 8 pines (paquete muy pequeño, muy delgado, sin contorno, sin plomo) que ocupan un espacio escaso de 6 mm por 8 mm. Todos ellos también serán capaces de operar entre -40 ° C y +85 ° C.

NAND Memoria alrededor de la industria

La memoria NAND es un negocio en auge. A continuación se muestran algunos otros dispositivos que son relevantes para este anuncio de Toshiba.

  • Samsung ofrece una serie de dispositivos SLC NAND con velocidades de E / S de 40 Mbps. La densidad varía de 1 Gb a 16 Gb.
  • La serie Cypress de productos SLC NAND también abarca densidades que van desde 1 Gb a 16 Gb. Estas unidades tienen la calificación AEC-Q100.
  • La memoria flash NAND serie W25NO4KV de Winbond presenta una densidad de 4 Gb y una velocidad de E / S de 104 MHz. La compañía también ofrece versiones de 2 Gb, 1 Gb y 512 Mb.

¿Qué demandas de memoria encuentras normalmente en tu trabajo? Comparte tus experiencias en los comentarios a continuación.

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Maria Montero

Me apasiona la fotografía y la tecnología que nos permite hacer todo lo que siempre soñamos. Soñadora y luchadora. Actualmente residiendo en Madrid.

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