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La serie SCT3xxx xR, disponible en versiones VDS de 650V y 1200V, puede reducir las pérdidas de conmutación hasta en un 35%.

ROHM ha anunciado seis dispositivos en la serie SCT3xxx xR que utilizarán un paquete TO-247-4L de 4 pines en lugar de los tipos de paquete TO-247N de 3 pines convencionales. Esta nueva familia puede aumentar la eficiencia de los ingenieros, dada su capacidad para maximizar el rendimiento de conmutación y reducir el consumo de energía.

El TO-247-4L (derecha) maximiza el rendimiento del interruptor para reducir el consumo de energía en comparación con el TO-247N (izquierda). Imagen de ROHM

También está disponible el panel de evaluación SiC MOSFET de ROHM, el P02SCT3040KR-EVK-001, que está equipado con el controlador de puerta, los circuitos integrados de la fuente de alimentación y los componentes discretos relevantes necesarios. Esta placa se puede utilizar para llevar productos al mercado más rápido.

Estructura de la puerta de trinchera

La estructura de la puerta de trinchera implica formar una ranura en la superficie del chip y la puerta en la pared lateral MOSFET. Esto hace posible lograr una estructura más fina en comparación con las topologías planas. El resultado es una resistencia de ENCENDIDO cercana al rendimiento original del material de SiC, lo que contribuye a una mayor eficiencia del dispositivo.

¿Por qué cuatro leads?

ROHM destaca la capacidad del paquete TO-247 para eliminar el calor, aunque la reducción de calor puede provocar problemas con las conexiones en este tipo de paquete, que a menudo vienen con inducción en serie alta.

TO-247N. Imagen (modificada) por ROHM

La caída de voltaje a través de esta inducción parasitaria reducirá el voltaje de la señal en el chip. Eso, a su vez, reducirá la velocidad de conmutación. Una solución de 4 pines, posible gracias al paquete TO-247-4L, separa efectivamente los pines del controlador y la fuente de alimentación como se ilustra a continuación.

TO-247-4L. Imagen (modificada) por ROHM.

Esto minimiza en gran medida el impedimento que de otro modo sería causado por el componente de inductancia parásita al tiempo que maximiza la velocidad de conmutación de un SiC MOSFET; Como resultado, los paquetes de 4 pines pueden disminuir drásticamente las pérdidas de potencia de conmutación.

Miembros de la serie SCT3xxx xR de MOSFET SiC

Todos los miembros de la serie están construidos utilizando una estructura de puerta de trinchera.

Comparación de seis modelos en la serie SCT3xxx xR. Imagen de ROHM

Tres dispositivos tienen un voltaje de fuente de drenaje de 650 voltios; los otros tres tienen 1200 voltios.

Aplicaciones para la nueva serie de MOSFET SiC de ROHM

Estos nuevos dispositivos serán útiles en cualquier lugar que priorice tanto la alta potencia como la alta eficiencia. Éstos incluyen:

• Sistemas UPS
• Inversores de energía solar
• Sistemas de almacenamiento de energía
• Estaciones de carga EV
• Fuente de alimentación para granjas de servidores
• Estaciones base

Alrededor del mercado

Con la creciente demanda de MOSFET SiC de bajo consumo de energía, no sorprende que la serie SCT3xxx xR tenga varios competidores que vale la pena considerar.

Los MOSFET CoolSiC de Infineon se ofrecen en paquetes TO-247 de 4 pines. R_{DS (ENCENDIDO)} para estos dispositivos de 1200 voltios van desde 30 mΩ a 350 mΩ.

Wolfspeed ofrece su C3M0016120K SiC power MOSFET, también en un paquete TO-247 de 4 derivaciones. El dispositivo de 1200 voltios tiene 16 mΩ R_{DS (ENCENDIDO)}. La compañía también enumera otros siete MOSFET de energía SiC de 4 derivaciones.
La línea de Toshiba de SiC de alimentación de cuatro cables incluye el TK25Z60X, TK31Z60X, TK39Z60X y el TK62Z60X. Estas unidades cuentan con un voltaje de ruptura de 600 voltios y R_{DS (ENCENDIDO)} valores que van desde 40 mΩ a 125 mΩ.

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