La NVM robusta (memoria no volátil) ahora puede coexistir más fácilmente con funciones de alimentación en el mismo chip.
X-FABs La plataforma XT018 BCD-on-SOI ampliamente implementada ahora admite Flash basado en SONOS y NVM EEPROM integrado. Ahora, las aplicaciones que requieren altos voltajes, funciones computacionales avanzadas y tolerancia a altas temperaturas ambientales ahora pueden existir en un solo chip. Esta innovación conducirá a nuevas oportunidades en los mercados médico, industrial y automotriz.
BCD significa BIPOLAR-CMOS-DMOS, un grupo de procesos de silicio que permiten desplegar las tres tecnologías diferentes en el mismo chip. La utilidad es que cada tecnología tiene sus propias fortalezas.
El empleo de un sustrato SOI (Silicon on Insulator) permite la coexistencia de elementos digitales sensibles de muy bajo voltaje en el mismo chip que maneja tareas DMOS de alto voltaje y alta potencia.
Cada vez más aplicaciones de un solo chip que emplean MCU que requieren capacidades NVM, como Flash integrado y EEPROM, también requieren una operación de alto voltaje.
Además, la resistencia a los desafíos de ESD / EMC junto con la capacidad de prosperar en entornos de alta temperatura también son imprescindibles. La tecnología SONOS de X-FAB llena la factura, y también puede funcionar a temperaturas de unión de -40 ° C a 175 ° C, lo que hace posible que esta tecnología cumpla con los estándares de calidad automotriz AEC-Q100 grado-0.
La nueva solución NVM de X-FAB implementa un solo bloque de 32kBytes de memoria Flash, así como 4kbits de EEPROM, y ambos pueden operar a 1.8 voltios. Se puede acceder de forma independiente a pesar de compartir la misma interfaz periférica, que sirve para disminuir el tamaño de la huella del dispositivo. Ambos elementos emplean la tecnología SONOS probada de X-FAB, aprovechando el sólido historial del proceso a granel XH018 de 180 nanómetros de la compañía. Además, la nueva solución solo agrega cuatro capas de proceso adicionales al proceso base original XTO18.
La solución NVM permite ECC (corrección de código de error), con corrección de doble bit en la EEPROM y corrección de un solo bit en la memoria Flash. Hay una interfaz de prueba integrada opcional, que permite el acceso directo a Flash y EEPROM. Por lo tanto, los ingenieros de prueba pueden implementar las capacidades de prueba de nivel de oblea de X-FAB, para facilitar la depuración y mejorar el tiempo de rendimiento.
Si bien la adaptación a gran escala del vehículo eléctrico debe esperar una batería que se pueda cargar completamente tan rápido como un consumidor puede ahora llenar un tanque de gasolina, y el vehículo verdaderamente autónomo aún está a décadas de distancia, la rápida electrificación del automóvil a gasolina sin embargo, avanza a buen ritmo. X-FAB se está posicionando para beneficiarse de este tsunami virtual de cambio e innovación.
Como dice Nando Basile, gerente de mercadeo de productos para soluciones NVM en X-FAB, "Traer la funcionalidad Flash a nuestra plataforma XT018 nos brinda una clara ventaja en aplicaciones de tren motriz automotriz donde se requiere un control inteligente a temperaturas elevadas".
Y no termina ahí, ya que continúa diciendo que "también significa que estamos bien posicionados para abordar numerosas oportunidades que están comenzando a aparecer dentro de los ámbitos médico e industrial".
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