La velocidad de datos doble cinco (DDR5), la nueva generación de memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono (SDRAM), proporcionará un mayor rendimiento, mayor ancho de banda, transferencia de datos más rápida y bajo consumo de energía.
El salto de DDR4 y DDR5 no es un desarrollo incremental. Estamos viendo un salto desde las frecuencias estándar de 2400 MHz a 4800 MHz. Según Samsung, la memoria DDR5 puede enviar y recibir el doble de señales de datos en un ciclo de reloj como DDR4, promoviendo más capacidad y velocidades de transferencia más rápidas.
El objetivo aquí es admitir centros de datos con mucho tráfico, que están especialmente cargados debido a las órdenes de quedarse en casa.
Gráfico que compara las especificaciones clave de DDR4 y DDR5. Imagen utilizada por cortesía de SK hynix
DDR5 aún no está aquí, pero muchos proveedores han realizado movimientos definitivos para que esta tecnología se desarrolle en los próximos dos años.
SK hynix lanzó recientemente un informe en el que describieron varios cambios anticipados de DDR4 a DDR5.
El acceso a la memoria de DDR5 es el doble que el de DDR4 debido a su arquitectura, que tiene una estructura de 32 bancos1 basada en 8 grupos de bancos.
DDR5 también presenta una longitud de ráfaga (BL) 2 de 16, mientras que DDR4 es 8.
A diferencia de DDR4, que no puede realizar otras operaciones mientras se actualiza, DDR5 permite el acceso concurrente al banco con una función de "Actualización del mismo banco".
DDR5 presenta un circuito de ecualización de respuesta a la decisión (DFE) que reduce el ruido reflectante durante la operación de los canales, aumentando la velocidad por pin.
DDR5 tiene un voltaje de operación de 1.1 V mientras que DDR4 tiene un voltaje de operación de 1.2 V; Este cambio representa una reducción del 20% en el consumo de energía por ancho de banda.
Infografía de las ventajas de DDR5. Imagen (modificada) utilizada por cortesía de SK hynix
Micron ha redefinido las soluciones de memoria y almacenamiento durante los últimos 40 años y fue uno de los primeros proveedores en implementar las promesas de DDR5 en enero. El propósito declarado de Micron para la SDRAM de próxima generación era aliviar los servidores del centro de datos. También se dirigen a dispositivos móviles.
La DRAM LPDDR5 de Micron para aplicaciones móviles está diseñada para 5G. Imagen utilizada por cortesía de Micron
La DRAM DDR5 de baja potencia (LP) de Micron se integrará en el nuevo teléfono inteligente edge + de Motorola, brindando a los consumidores el "potencial total de la experiencia 5G". Motorola dice que el nuevo teléfono inteligente tendrá una cámara de alta resolución, una pantalla llamativa y un gran ancho de banda para la transmisión de entretenimiento.
La alta velocidad y el bajo consumo de energía del LPDDR5 permitirán que los dispositivos móviles y automotrices se mantengan al día con la tecnología AI, la conducción autónoma, las redes 5G y las innovaciones de la cámara.
Renesas Electronics Corporation anunció recientemente un nuevo sensor de temperatura de precisión, el TS5111, construido específicamente para admitir módulos de memoria DDR5. El sensor TS5111 de Renesas proporcionará indicadores de advertencia que ejercitarán la actualización de memoria, un paso crucial para los fabricantes de chips. Sin la función de actualización de memoria, los datos almacenados eventualmente se perderían.
El sensor mide 0,8 mm x 1,3 mm, presenta una velocidad de transferencia de datos de hasta 12,5 MHz e incluye una entrada de fuente de alimentación de 1,8 V y 1,1 V.
La cartera de productos de interfaz de memoria de Renesas incluye DDR5 RCD, PMIC, SPD Hub y dispositivos TS. Imagen utilizada por cortesía de Renesas
DDR5 tiene las características clave adecuadas para un sensor aeroespacial: precisión, baja potencia y un tamaño reducido. La aeropropulsión y los vehículos de la tripulación requieren un sensor de este tipo para medir y controlar con precisión las fluctuaciones de temperatura.
Keysight Technologies también está allanando el camino para una adopción más amplia de DDR5. Keysight introdujo recientemente "la primera solución de flujo de trabajo de diseño y prueba del mundo" para soluciones de memoria DDR5 en DesignCon 2020. Se dice que la nueva solución reduce el tiempo de desarrollo del producto para los sistemas de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) DDR5.
Debido a que DDR5 se ejecuta al doble de la velocidad de datos de DDR4, los diseñadores de hardware enfrentan un margen de diseño cada vez menor en el que pueden abordar la fluctuación de fase, la diafonía y la reflexión. DDR5 DRAM recupera estas señales muy distorsionadas con ecualización de retroalimentación de decisión (DFE), que son diferentes a los procedimientos convencionales de medición y simulación de iteraciones DDR anteriores.
Diseño completo y solución de prueba DDR5 de Keysight. Imagen utilizada por cortesía de Keysight Technologies
Keysight tiene como objetivo reducir el tiempo de inactividad y permitir a los desarrolladores cumplir con los plazos de entrega del producto mediante la introducción de nuevas herramientas de prueba del transmisor, pruebas de tasa de error de bitback (BER) y análisis lógico para depurar las transacciones de tráfico DDR5.
Con DDR5, los desarrolladores de Samsung apuntan a reestructurar la arquitectura de la memoria, haciéndola capaz de manejar los requisitos de ancho de banda por núcleo de las CPU modernas.
El DDR5 de Samsung permite hasta 4.800 Mbps en transferencia de datos. Imagen utilizada por cortesía de Samsung
La memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono DDR5 (SDRAM) está diseñada para ayudar a las abrumadoras cargas de trabajo que están presentes en los servidores del centro de datos. Samsung dice que la SDRAM DDR5 aumenta la confiabilidad, disponibilidad y capacidad de servicio (RAS) que requieren los centros de datos típicos.
Samsung planea integrar DDR5 con su última tecnología de capa TSV-8, un método de empaque desafiante que utilizará la capacidad de DDR5 para contener el doble de pilas en comparación con DDR4.
En un informe citado en la cobertura de SK hynix de DDR5, la International Data Corporation (IDC) afirma que DDR5 representará "el 22% del mercado total de DRAM en 2022 y el 43% en 2022". SK hynix ha anunciado que planea aumentar la producción de chips de memoria DDR5 este año.
El DDR5 / LPDDR5 de Samsung también alcanzará la producción en masa dentro de la segunda mitad de este año a partir de 2022.
El set de producción en masa de 16Gb DDR5 / LPDDR5 de 4G de clase 10nm (1a) basado en EUV de Samsung comenzará en 2022. Imagen utilizada por cortesía de Samsung
La compañía afirma que fortalecerá su colaboración con los principales clientes de TI y proveedores de semiconductores a medida que acelera la transición de DDR4 a DDR5 para dispositivos móviles muy esperados. Si bien no veremos los efectos completos de este cambio de DDR4 a DDR5 durante otros meses, estas perspectivas muestran la promesa de que estamos preparados para una revolución de memoria.
¿Te encuentras limitado por los parámetros actuales de SDRAM? ¿Cómo se solucionan esas limitaciones? Comparte tus experiencias en los comentarios a continuación.
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