NXP inauguró recientemente su última fábrica, una instalación de nitruro de galio (GaN) RF de 150 mm (6 pulgadas) con sede en Chandler, Arizona, que la compañía llama "la fábrica más avanzada dedicada a amplificadores de potencia de RF 5G en los Estados Unidos".


TSMC afirma que su nueva fábrica de Arizona es la fábrica de GaN más avanzada para amplificadores de potencia en los EE. UU. Imagen utilizada por cortesía de NXP

La nueva fábrica combina las casi dos décadas de experiencia de NXP en el desarrollo de GaN y potencia de RF con sus capacidades de fabricación de alto volumen. Esto apoyará la expansión de las estaciones base 5G y la infraestructura avanzada en mercados que incluyen el industrial, la defensa y el aeroespacial.

El papel de GaN en 5G: ¿el nuevo estándar de oro?

5G ha aumentado enormemente la densidad de las soluciones de RF necesarias por antena. Sin embargo, al mismo tiempo, es necesario mantener el mismo tamaño de caja y reducir el consumo de energía, lo que es un desafío para los fabricantes porque, para los componentes de energía, un menor consumo de energía generalmente significa una huella más grande.
Sin embargo, desafíos como estos generan innovación, y estos requisitos conflictivos han llevado al surgimiento de transistores de potencia de nitruro de galio (GaN) como el nuevo "estándar de oro" para abordarlos, dice el anuncio de NXP.

Apertura de la nueva fábrica de GaN con sede en Arizona
Apertura de la nueva fábrica de GaN con sede en Arizona con el gobernador Doug Ducey y otros representantes del gobierno federal, estatal y local. Imagen utilizada por cortesía de NXP

GaN es un semiconductor de banda ancha. Esto significa que los chips basados ​​en él pueden manejar voltajes mucho más altos en un espacio más pequeño que el silicio, que a su vez se utiliza en la tecnología LDMOS que se encuentra actualmente en el núcleo de los amplificadores de radio en las redes 4G actuales. También ofrece una mayor densidad de potencia y, por lo tanto, brinda grandes avances en el rendimiento en términos de menor consumo de corriente y mayor eficiencia.
Al abrir su nueva fábrica de GaN, NXP espera reforzar su suministro de chips avanzados de GaN RF a medida que continúa el despliegue de 5G en todo el mundo.

Arizona: un "centro de innovación" para el desarrollo de chips

La fábrica servirá como lo que NXP denomina un "centro de innovación" para facilitar la colaboración entre la fábrica y el equipo de investigación y desarrollo in situ de NXP. Esto conducirá a ciclos de producción más rápidos para dispositivos NXP GaN con ingenieros en el sitio, dado todo lo que necesitan para un desarrollo y validación más rápidos para dispositivos GaN actuales y futuros.
Arizona también parece ser un semillero para el desarrollo del silicio. A principios de este año, TSMC anunció planes para construir una fábrica de $ 12 mil millones en Arizona en respuesta al llamado del gobierno de EE. UU. Para más fábricas de chips nacionales.

Desarrollos corporativos de 5G en proceso

El anuncio de NXP es el último de una larga lista de desarrollos globales relacionados con 5G.
Recientemente, en el Reino Unido, el gigante de las telecomunicaciones multinacional finlandés Nokia completó un acuerdo para convertirse en el mayor proveedor de equipos de BT Group plc, el mayor proveedor de servicios móviles, de banda ancha y de línea fija del Reino Unido. Como parte de este acuerdo, Nokia reemplazará a Huawei en las redes 2G y 4G existentes de BT y desempeñará un papel fundamental en el despliegue actual de 5G en el Reino Unido.

Nokia se convertirá en el mayor proveedor de 5G del Reino Unido a través del acuerdo.
Nokia se convertirá en el mayor proveedor de 5G del Reino Unido a través del acuerdo. Imagen utilizada por cortesía de la BBC.

Con el despliegue mundial de 5G en marcha y la prohibición de Huawei en las redes móviles de varias naciones occidentales (y Japón y Taiwán), es un momento emocionante para que las empresas de telecomunicaciones y los fabricantes de semiconductores impulsen el desarrollo a nivel de sistemas.
Se espera que la nueva fábrica de NXP alcance su capacidad máxima para fines de 2020.

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